全国咨询热线:+8621-56310568/56311668/63063530(座机) 15901818637(手机)
English    |    中文版
  Language  
Ge衬底

优点:

1.红外光学衬底

2.半导体衬底


在线咨询
  • Ge锗单晶是制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池衬底。

    性能指标:

    生长方法
    提拉法
    晶体结构
    立方
    晶格常数
    a=5.65754 Å       
    密 度(g/cm3
    5.323
    熔点(
    937.4
    掺杂物质
    不掺杂
    掺Sb
    掺Ga
    类型
    /
    N
    P
    电阻率
    >35Ωcm
    0.01~10Ωcm
    0.01~10Ωcm
    EPD
    <4×103∕cm2
    <4×103∕cm2
    <4×103∕cm2
    尺寸
    10x3,10x5,10x10,15x15,20x15,20x20
    Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
    厚度
    0.5mm,1.0mm
    抛光
    单面或双面
    晶向
    <100>、<110>、<111>、±0.5º
    晶面定向精度
    ±0.5°
  • LaAlO3衬底

    MgO衬底

    BaTiO3衬底

    SrTiO3衬底

    KTaO3衬底

    CdTe衬底

    LSAT衬底

    BGO单晶

    MgAl2O4 衬底

    LiAlO2 衬底

    CZT 衬底

    CdTe衬底

在线留言
姓名(必填)
邮箱(必填)
电话(必填)
留言(必填)
验证码(必填)
发送中...

产品展示

推荐产品