优点：
1.半导体衬底
2.红外光学衬底
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CdTe衬底
- CdTe由碲和镉构成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型,具有直接跃迁型能带结构。
性能指标：
晶系
立方
生长方式
PVT
晶格系数 (A)
a = 6.483
密度（g/cm3）
5.851
熔点(°C)
1047
热容 (J /g.k)
0.210
热膨胀系数 (10-6/K)
5.0
导电能力( W /m.k at 300K )
6.3
传播波长 ( um)
0.85 ~ 29.9 (>66%)
折射率
2.72
E-OCoeff. (m/V) at 10.6
6.8x10-12
-
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