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SiC衬底

优点:

1.优良的热学、力学、化学和电学性质

2.制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料

3.可用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料

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  • 碳化硅(SiC)是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一,也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主,导电类型分为半绝缘型(非掺、掺杂)与N型。

    性能指标:

    生长方法 MOCVD
    晶体结构 六方
    晶格常数 a=3.07 Å     c=15.117 Å 
    排列次序 ABCACB
    方向 生长轴或 偏<0001> 3.5 º
    带隙 3.02 eV (间接)
    硬度(Mho) 9.2
    密度(g/cm3 3.21
    折射率 no=2.55   ne=2.59
    热传导@300K 3 - 5 x 106W/ m
    介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
  • LaAlO3衬底

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