SiC衬底

优点：

1.优良的热学、力学、化学和电学性质

2.制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料

3.可用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料

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碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。

性能指标：

生长方法	MOCVD
晶体结构	六方
晶格常数	a=3.07 Å c=15.117 Å
排列次序	ABCACB
方向	生长轴或偏<0001> 3.5 º
带隙	3.02 eV (间接)
硬度(Mho)	9.2
密度（g/cm³）	3.21
折射率	n_o=2.55 n_e=2.59
热传导@300K	3 - 5 x 10⁶W/ m
介电常数	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33