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GaAs衬底

优点:

1.砷化镓具有高迁移率,高饱合漂移速度

2.半绝缘砷化镓材料制成的器件寄生电容很小

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  • 砷化镓(GaAs)是目前重要且成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,广泛应用于光电子和微电子领域。
    砷化镓材料主要分为两类:半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作
    MESFET、HEMT HBT 结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。半导体砷化镓材料主要应用于半导体激光器(LD)、半导体发光二极管(LED)、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池。

    性能指标:

    材料

    砷化镓(GaAs)

    结构

    立方

    熔点(℃)

    1238

    生长方法

    LEC(液体封装提拉法), VGF(布里奇曼/坩埚下降法)

    晶格常数(nm)

    0.5653

    密度(g/cm3

    5.26

    莫氏硬度(Mho)

    4.5

    折射率

    3.25

    介电常数(300K)

    ε(┴)=12.4; ε(║)=10.6

    热导率(W/cm.K)

    0.46

    热膨胀系数(10-6/K)

    6.0

    比热容J/g.K

    0.326

    德拜温度(K)

    344

    禁带宽度(eV)

    1.43

    寿命(ns)

    10


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