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BGO锗酸铋晶体阵列

优点:

1.密度大

2.低余晖

3.探测效率高

4.抗辐照能力强

5.射线阻止能力强    

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  • 锗酸铋晶体(Bi4Ge3O12)晶体是一种立方晶系结构无机闪烁晶体,密度大,比重高,不潮解,低余晖,对射线阻止本领很强,抗辐照能力强。发射波长480nm,可以与PMT很好的匹配,是核医学成像的优良材料之一。

    性能指标:  

    密度(g/cm3

    7.13

    熔点(℃)

    1323

    热膨胀系数(C-1

    7 x 10-6

    解理面

    莫氏硬度(Mho)

    5

    吸潮

    no

    波长(nm

    480

    最小发射峰波长(nm

    320

    折射率

    2.15

    衰减时间(ns

    300

    光产额(photons/keV

    8-10

    相对光输出[% of NaI(Tl)] (for γ-rays)

    15 - 20

      

    1.   类型线阵和二维阵列
    产品特点: 
    针对不同材质的材料,我司可以提供尽量小的像素尺寸
    最小的串扰
    晶条于晶条和阵列与阵列和批次与批次之间的均一性控制
    反射材料:TiO2/BaSO4/ESR/E60
    隔断间距: 0.08, 0.1, 0.2, 0.3mm
    性能测试包括,散点图,能谱图,均一性测试 

    2. 锦虹提供不同材质的阵列来满足各种终端应用
    我们可以提供包括 CsI(Tl), CsI(Na), CdWO4, LYSO,LSO, YSO, GAGG, BGO,LaBr3 等材质的阵列。根据应用和性能要求,我们可以提供基于TiO2/BaSO4/ESR/E60 的反射材料来做为封装隔断材料。我们的机加工可以实现最小像素的加工,最大限度的满足最优的性能指标和实现最小的串扰和均一性的控制。 
    3. 各种材质的性能指标:

    性能指标

    CsI(Tl)

    GAGG

    CdWO4

    LYSO

    LSO

    BGO

    GOS(Pr/Tb)  
    陶瓷

    LaBr3

    密度(g/cm3

    4.51

    6.6

    7.9

    7.15

    7.3~7.4

    7.13

    7.34

    4.9

    吸潮性

    轻微

        

    极易

    相对光输出(%NaI(Tl)) γ-rays

    45

    158(HL)/ 132(BL)/79(FD)

    32

    65-75

    75

    15-20

    71/ 118

    130-170

    衰减时间(ns)

    1000

    150(HL)/ 90(BL)/48(FD)

    14000

    38-42

    40

    300

    3000/ 600000

    20

    余晖@30ms

    0.6-0.8%

    0.1-0.2%

    0.1-0.2%

    N/A

    N/A

    0.1-0.2%

    0.1-0.2%

    N/A

    阵列规格

    线阵和二维

    线阵和二维

    线阵和二维

    二维

    二维

    二维

    线阵和

    二维

    二维


    4. 阵列组装的加工设计

    根据不同的最终用途和客户对不同的考量,锦虹提供多种设计方案和设计来满足和服务于医疗,工业无损探伤和安检市场。

    对低能X射线检测的安检行业,我司提供CsI(Tl), GOS, GAGG, CdWO4等闪烁体的线性阵列,我们可以提供P1.575, P2.5等不同间距和不同厚度的线阵。我司提供的线阵对闪烁体的均一性,发光效率等经过严格品控,像素和像素间,阵列与阵列间,批次与批次间的均一性严格的品控。 

    对于医疗ToF-PET, SPECT, CT,小动物和脑部PET扫描领域,我司可以提供LYSO, CsI(Tl), LSO, LYSO, GAGG, YSOCsI(Na)阵列来满足不同应用场景和性能要求的需求。 

               

                                  线阵参考图


       

                                二维阵列参考图

    4-A: 阵列参数: (A,B,C,D参考值)

    A.1 材质根据用户的需求

    A.2 像素大小线阵尺寸 A,B,C& 2D 二维面阵的 A, C 可根据用户需求调整

    A.3 中心距线阵 A+B & 2D 面阵B, D 根据用户需要调整

    A.4 隔断间距线阵最小 0.1mm 包含胶层 和面阵0.075mm (包含胶层)

    A.5 阵列厚度根据需要可以提供订制

    A.6 晶体表面处理抛光,研磨或者其他

    4-B: 典型像素尺寸&数量


    材料

    典型值

    晶条数量

    线阵

    面阵

    线阵

    面阵

    CsI(Tl)

    1.275x2.7

    1x1mm

    1x16

    19x19

    GAGG

    1.275x2.7

    0.5x0.5mm

    1X16

    8x8

    CdWO4

    1.275x2.7

    3x3mm

    1x16

    8x8

    LYSO/LSO/YSO

    N/A

    1X1mm

    N/A

    25x25

    BGO

    N/A

    1x1mm

    N/A

    13X13

    GOS(Tb/Pr) 陶瓷

    1.275X2.7

    1X1mm

    1X16

    19X19


    4-C: 最小像素尺寸

    材料

    最小像素尺寸

    线阵

    二维

    CsI(Tl)

    0.4mm 中心距

    0.5mm 中心距

    GAGG

    0.4mm 中心距

    0.2mm中心距

    CdWO4

    0.4mm 中心距

    1mm中心距

    LYSO/LSO/YSO

    N/A

    0.2mm中心距

    BGO

    N/A

    0.2mm中心距

    GOS(Tb/Pr) 陶瓷

    0.4mm 中心距

    1mm 中心距

    5.反射层和胶

    反射材料

    反射层和胶层厚度

    线阵

    面阵

    TiO2

    0.1-1mm

    0.1—1mm

    BaSO4

    0.1mm

    0.1-0.5mm

    ESR

    N/A

    0.08mm

    E60

    N/A

    0.075mm


    6. 阵列应用

    应用场景

    CsI(Tl)

    GAGG

    CdWO4

    LYSO

    LSO

    BGO

    GOS(Tb/Pr) 陶瓷

    PET, ToF-PET

    SPECT

    CT

    NDT

    包检

    卡车/集装箱

    伽马相机


    7. 质量控制

    7-1.阵列能量分辨率测试(Na22)

      

    7-2 散点图

      

    7-3.相对光产测试

    GAGGLYSO相对光输出测试,和线阵的相对光输出上机测试。

    7-4. 均一性

    根据不同品质要求,提供 ±5%,±10%, ±15%等不同均一性要求的产品,我们从晶棒到晶块到晶条到组件提供品质筛选。

    7-5.阵列内部缺陷测试

     

    7-6.尺寸公差检测(千分尺和两项测量仪)








  • CsI(Tl)碘化铯晶体阵列

    CdWO4钨酸镉晶体阵列

    GAGG石榴石晶体阵列

    LYSO硅酸钇镥晶体阵列

    GOS阵列

    LSO硅酸镥晶体阵列

    YSO硅酸钇晶体阵列

    LaBr3溴化镧晶体阵列

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